来源：YOLE

功率电子推动着新兴衬底市场增长，按照目前趋势，截至 2028 年将超过 2.64 亿美元。

近日，为了满足提升性能和限制成本的需要，半导体产业不停地在研究新材料、新平台和新设计。在过去十年中，一些化合物半导体，已经在与硅的竞争中占了上风，并进入大众市场，如 RF 领域中的 GaAs 和功率电子领域中的 SiC 。 那么，哪种新兴半导体衬底将成为下一个改写产业格局的关键呢？Yole Group旗下的 Yole Intelligence 在其新发布的《 Emerging Semiconductor Substrates 2023》中对新兴半导体衬底的技术发展态势进行了调研，包括 GaSb、InSb、块体 GaN、Ga2O3、块体 AlN和金刚石，以及工程衬底和模板。此外，这家市场研究与战略咨询公司还研究了各种潜在应用，如功率电子、射频和光电领域（包括激光二极管、LED、传感器和探测器）。 Taha Ayari 博士在 Yole Group旗下的 Yole Intelligence 的化合物半导体与新兴衬底团队担任技术与市场分析师，他认为 ：“PE 市场的动力来自多项应用，如 EV/HEV 、可再生能源和电力供应，该市场目前仍以硅基技术为主。但宽带隙材料 SiC 和 GaN（硅或蓝宝石平台上的横向 GaN HEMT）经过漫长的发展，已经渗透到功率电子市场，预计到 2028 年将占 PE 市场份额的 25％ 以上。Yole Intelligence 预期在这股趋势的助力下，用于垂直 GaN 器件和工程衬底（如 Soitec 的 SmartSiC™、SICOXS 的 SiCkrest，和 Qromis 的 QST）的块体 GaN 在未来五年内将迎来增长。”...

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