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华体会体育hth-华天南京集成电路先进封测产业其地二期项目奠基
来源：华天科技9月22日，华天南京集成电路先进封测产业基地二期项目在浦口区奠基。南京市长陈之常，江北新区管委会主任浦口区委书记吴勇强，华天科技集团董事长肖胜利，华天科技集团常务副总裁刘建军、副总裁肖智轶共同出席。华天南京封测基地二期项目将建设具备国际先进水平的集成电路封装测试生产线，产品广泛应用于存
2025-04-07 -
华体会体育hth-攻克关键技术，东方晶源ILT技术剑指先进制程
计算光刻作为现代芯片制造光刻环节的核心技术之一，其发展经历了从规则导向到模型驱动的转变。然而，随着制程迈向7nm乃至5nm节点，传统方法因规则局限、优化自由度不足等制约，难以满足复杂芯片设计的高要求。在此背景下，反向光刻技术（ILT）以其独特的优化思路应运而生。ILT即从目标芯片图案出发，逆向推导获
2025-04-07 -
华体会体育hth-投资75亿元的先进封测项目开工，含板级封装！
来源：通富微电近日，通富通达先进封测基地项目开工仪式在市北高新区通达地块隆重举行，该项目是通富微电迈向千亿市值、千亿产值之路的关键一步。通富先进封装测试生产基地项目是崇川区2024年省级重大项目，是通富微电迈向千亿市值、千亿产值之路的关键一步，包括通富通达和通富通科两个子项目。通富通达项目建成后，将
2025-04-06 -
华体会体育hth-拓荆科技：超高深宽比沟槽填充CVD产品首台已通过客户验证
来源：集成电路材料研究近日，拓荆科技在接受机构调研时表示，公司自主研发并推出的超高深宽比沟槽填充CVD产品首台已通过客户验证，实现了产业化应用，并获得客户重复订单及不同客户订单，陆续出货至客户端验证。超高深宽比沟槽填充CVD设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，可达
2025-04-06 -
华体会体育hth-英飞凌推出全新 135 V 和 150 V 产品系列，扩展其 OptiMOS 6 MOSFET 产品组合
来源：Power Electronics News新型 OptiMOS™ 6 135 V 和 150 V MOSFET 可提高驱动器和 SMPS 应用的效率。英飞凌科技股份有限公司推出全新 135 V 和 150 V 产品系列，升级的了其 OptiMOS™ 6 MOSFET 产品组合。这些器件的设计
2025-04-06
