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华体会体育hth-北京大学电子学院张志勇课题组提出集成电路用碳纳米管材料要求
随着硅基商用晶体管尺寸的不断缩减，物理极限、功耗和成本等挑战日益凸显，为了满足集成电路对集成度和计算能力的需求，亟需引入新原理、新结构和新材料。半导体型阵列碳纳米管（A-CNT）因其高载流子迁移率、超薄结构和对称能带等优越特性，成为研究的热点。基于A-CNT制备的互补金属氧化物半导体场效应晶体管（C
2025-05-01 -
华体会体育hth-AI技术如何助力半导体失效分析？
来源：蔡司显微镜黄承梁随着显微镜技术的发展，半导体用户对显微镜的需求已经不仅仅停留在微观结构的成像上，而是希望通过硬件和软件方案的相结合，提高失效分析（FA）的效率、准确率，并尽可能的减少人工操作带来的不确定性。为此，蔡司提供客制化的软件解决方案，利用AI技术，在分类（classification）
2025-05-01 -
华体会体育hth-使用高精度晶圆键合的高密度3D闪存为存储带来新价值
来源：铠侠,BiCS FLASH 3D闪存的特点- EE Times随着人工智能（AI）和数字化转型（DX）导致数据呈指数级增长，NAND闪存已成为一项越来越重要的技术。铠侠株式会社的第八代BiCS FLASH 3D闪存现已量产，它依赖于一种称为CMOS直接键合到阵列（CBA）的新技术。CBA由两个
2025-05-01 -
华体会体育hth-中科院上海微系统所Nature+1：用于二维集成电路的单晶栅介质！
来源：原子创意 研究背景近年来，随着硅场效应晶体管（FETs）在缩放方面接近其基本极限，新一代半导体通道材料的需求变得尤为迫切。二维材料（2D）如二硫化钼（MoS2），因其原子级薄厚度和高载流子迁移率，显示出在未来晶体管中的巨大潜力。然而，尽管2D材料具备优越的物理和电学特性，适用于它们的高质量介电
2025-05-01 -
华体会体育hth-把两块芯片压成一块：EUV以来半导体制造的最大创新
从纳米到埃米，芯片制造商正在竭尽全力缩小电路的尺寸。但对于人们日益增长的算力需求，一项涉及更大尺寸（数百或数千纳米）的技术在未来五年内可能同样重要。这项技术称为直接混合键合（Hybrid Bonding），可在同一封装中将两个或多个芯片堆叠在一起，构建所谓的 3D 芯片。尽管由于摩尔定律逐渐崩溃，晶
2025-05-01
