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华体会体育hth-中科院微电子所在碳硅三维异质集成器件上取得进展

据中国科学院微电子所官网消息,随着集成电路密度不断提高,晶体管的工艺节点不断微缩,已逼近物理极限。三维互补式场效应晶体管(3D CMOS)技术成为破局的潜在路径。传统硅基3D CMOS集成技术热预算较

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